2026年8月27日至28日，第十届中国MOS-AK器件模型国际会议（10th Sino MOS-AK Workshop）在东南大学无锡校区隆重举行。中国科不雅视频院士、东南大学首席教授洪伟，中国科不雅视频院士、西安电子科技大学集成电路学部主任郝跃，中国工程院院士、浙江大学信息学部主任吴汉明分别致辞，祝贺会议召开，并围绕“AI赋能器件建模”的大会主旨，强调了紧凑模型在先进电子与光电子器件研发中的关键作用，以及产学研协同创新的重要意义。
我校学术副校长、不雅视频
院长马建国教授应邀出席本次会议，并作了题为《基于高斯函数的晶体管IV及高阶导数建模》的专题报告。报告中，马建国教授系统阐述了基于高斯函数的晶体管IV特性及高阶导数建模方法，为射频器件精确建模提供了新的理论视角和技术路径。该研究面向射频/微波/毫米波及太赫兹电路与系统设计的迫切需求，对推动紧凑模型在产业链上下游的应用具有重要意义。
本次会议是MOS-AK进入中国十周年的重要里程碑，见证了国内器件建模从技术学习走向自主创新的发展历程。马建国教授的报告充分展示了我校不雅视频
在射频器件建模与集成电路设计领域的学术实力，也彰显了不雅视频在AI赋能器件建模这一前沿方向上的积极探索。（通讯员 周绍华）
